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半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱
簡要描述：
半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱特別適用于半導體電子器件做溫度破壞測試，主要測試半導體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)高溫及低溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在Z短時間內(nèi)檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學變化或物理傷害。本試驗箱根據(jù)試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。
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發(fā)郵件給我們：apkjyzq@foxmail.com半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱特別適用于半導體電子器件做溫度破壞測試，主要測試半導體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)溫及溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在Z短時間內(nèi)檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學變化或物理傷害。本試驗箱根據(jù)試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗室，產(chǎn)品在測試時是放置在試驗室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過電機帶動提籃運動來實現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃起移動的。
愛佩半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱質(zhì)量優(yōu)勢：主要核心配件均采用*的配件如法泰康或德比澤爾壓縮機，控制器有韓三元、日本OYO、中中國臺灣臺通三*供客戶選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美杜邦環(huán)保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假罰十，能確保冷熱沖擊試驗箱長期正常的運行。
半導體器件（semiconductor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。大部分二端器件（即晶體二管）的基本結(jié)構(gòu)是個PN結(jié)。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。晶體二管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三管）。
半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱技術(shù)參數(shù)表：
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AP-CJ-80A AP-CJ-80B AP-CJ-80C | AP-CJ-150A AP-CJ-150B AP-CJ-150C | AP-CJ-250A AP-CJ-250B AP-CJ-250C | AP-CJ-1000A AP-CJ-1000B AP-CJ-1000C | ||||
標稱內(nèi)容積（升） | 80 | 150 | 250 | 300 | |||
試驗方式 | 氣動風門切換2溫室或3溫室方式 | ||||||
性能 | 高溫室 | 預熱溫度范圍 | ＋60～＋200℃ | ||||
升溫速率※1 | ＋60→＋200℃≤30分鐘 | ||||||
低溫室 | 預冷溫度范圍 | －75－0℃ | |||||
降溫速率※1 | ＋20→－75℃≤30分鐘 | ||||||
試驗室 | 溫度偏差 | ±2℃ | |||||
溫度范圍 | TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃; TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃; TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃ | ||||||
溫度恢復時間※2 | 5分鐘以內(nèi) | ||||||
試樣擱架承載能力 | 30kg | ||||||
試樣重量 | 7.5kg | 7.5kg | 10kg | 10kg | |||
內(nèi)部尺寸（mm） | W | 500 | 600 | 700 | 1000 | ||
H | 400 | 500 | 600 | 1000 | |||
D | 400 | 500 | 600 | 1000 | |||
※1半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗箱單獨運轉(zhuǎn)時的性能。 如需了解更多請東莞市愛佩試驗設(shè)備有限公司廠家直營：或致電業(yè)務. | |||||||
